El silicène és on el silici es converteix en un sol àtom, com el grafè, que ha demostrat tenir excepcionals propietats elèctriques. Això significa que podria ser útil per l'electrònica del futur, especialment en la línia en què els investigadors continuen fent recerca per fer més ràpids i més petits els xips d'ordinador. El problema amb silicène és que és molt difícil de fer i encara més difícil de treballar. Ha passat només vuit anys des que el físic Lok Lew Yan Voon, publiqués teories sobre com el silicène es combinaria per crear aquest nou material. Els investigadors informen que no només han estat capaços de crear el material, però han trobat una manera de com dominar-ho suficientment com per permetre'ls crear aquests diminuts transistors.
Per obtenir les nanolàmines, els investigadors primer van fer créixer unes fulles sobre una base molt prima de plata que havia estat coberta amb òxid d'alumini. Un cop crescut, el full silicène es va desprendre de la seva base i es va col·locar al costat de la plata sobre el diòxid de silici. A continuació, la plata va ser tractada per fer contactes elèctrics que permetessin al full ser utilitzat com un transistor. L'equip informa que van construir diversos d'aquests transistors i que eren estables quan s'utilitzen en el buit. També informen que fins al moment, el rendiment del silicène ha complert amb les teories que prediuen les seves propietats, així doncs amb les expectatives.
Encara que l'equip ha creat tècnicament un transistor basat en silicène de fet, no està clar si tal procés seria modificable per portar-ho a una aplicació comercial. Cal molta més investigació que haurà de ser feta abans del que determina la seva viabilitat. L'equip creu que seria més fàcil d'usar silicène en l'electrònica en el futur abans que el grafè, perquè gran part del disseny de xips ja es fa en base al silici.
Font: org.phys
Cap comentari:
Publica un comentari a l'entrada
Aquest és un blog amb moderador dels comentaris. Per tant, no apareixen immediatament