Es mostren els missatges amb l'etiqueta de comentaris espín. Mostrar tots els missatges
Es mostren els missatges amb l'etiqueta de comentaris espín. Mostrar tots els missatges

dimecres, 20 de gener del 2016

La rotació de l'electró i la seva capacitat per emmagatzemar dades

No va ser fins fa ben poc que, en parlar de física quàntica, la imaginació va deixar de volar a paratges futuristes i de ciència ficció per convertir-se en una cosa més real. Lluny d'arribar a la profecia dels ordinadors quàntics, almenys de moment, els avenços de l'investigador d'origen romanès Marius Costache, doctor en física de l'Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2), l'han fet mereixedor del prestigiós guardó IUPAP Young Scientist Medal a l'àrea de magnetisme. Un reconeixement a l'excel·lent potencial de la cursa de joves investigadors.

La rotació de l'electró i la seva capacitat per emmagatzemar dades
Costache forma part actualment de l'equip de científics de l'institut català dins del programa Ramón y Cajal. Però la seva trajectòria és internacional. Ha comptat amb una beca postdoctoral al Massachusetts Institute of Technology (MIT) i, prèviament, havia obtingut un doctorat a la Universitat de Groningen, Holanda. Ha estat en aquesta última i a l'ICN2 on els fruits de la seva investigació l'han fet mereixedor del guardó concedit a principis del mes de juliol passat pels seus avenços en el camp de l'espintrònica.
El concepte sembla complicat, no obstant, la seva aplicació pot revolucionar el camp de l'electrònica en termes d'emmagatzematge i processament d'informació. Aquesta tecnologia emergent, inscrita dins de la física quàntica, tracta de manipular l'espín de l'electró. Un concepte que, de forma senzilla, és possible definir com l'orientació de l'electró entès com a esfera. "La major part de l'electrònica d'avui en dia basa l'emmagatzematge d'informació en moure l'espín de l'electró des d'una posició a dalt a una altra a baix. Així, s'aplica en dispositius com transistors o telèfons mòbils" explica Costache, no sense abans especificar que atès que l'espín pot posicionar cap amunt o avall. "Els científics intentem manipular", comenta amb tota naturalitat.

La rotació de l'electró i la seva capacitat per emmagatzemar dades
Doncs bé, si la major part de l'electrònica d'avui en dia es basa en emmagatzemar informació gràcies al espín, amunt o avall, la seva analogia és l'1 i el 0. El que permet l'espintrònica, tenint en compte que l'electró és una esfera, és orientar l'espín (on s'emmagatzema la informació) en qualsevol direcció. En conseqüència "si pots orientar-lo en qualsevol direcció, cada punt d'aquesta esfera es converteix en un punt de dades i, per tant, podria tenir una capacitat d'emmagatzemar infinits punts de dades" simplifica el científic. Així doncs, un dispositiu basat en transistors formats per electrons als quals se'ls aplica l'espintrònica implicaria un gran avenç en emmagatzematge d'informació.

La rotació de l'electró i la seva capacitat per emmagatzemar dades
L'altra gran avantatge d'aquesta ciència basada en la física quàntica es troba en el processament de la informació. Els ordinadors i dispositius són cada vegada més ràpids, però l'investigador considera que aquesta escalació tindrà un límit. Científics i enginyers treballen per trobar formes alternatives de processar informació, i és aquí on la espintrònica es posiciona com a alternativa per aquest processat. I és que requereix de menys energia per canviar la direcció de l'electró i, per tant, el processament. De fet, assegura Costache, "ja hi ha professionals treballant per fer diferents tipus de memòries RAM magnètiques basades en aquesta disciplina".
Precisament els avenços de la investigació de Costache se centren, d'una banda, en el desenvolupament d'un mètode per excitar l'espín de l'electró que permeti transportar informació basant-se en l'espintrònica d'una manera més eficient energèticament. I d'altra banda, una cosa tan bàsica com aconseguir una font d'espín d'electrons que sigui eficient per les seves característiques.
L'investigador assegura que en els propers deu anys es trobarà aquesta disciplina aplicada als dispositius electrònics, aconseguint així una mida molt menor per a l'emmagatzematge d'informació i un processat molt més eficient.

La rotació de l'electró i la seva capacitat per emmagatzemar dades
Encara que ara continua amb aquest treball a l'ICN2, el científic va investigar ni més ni menys que al MIT. "Em van recomanar canviar de camp per al postdoctorat" assegura Costache. Així, la seva investigació, que no ha passat desapercebuda, es va centrar en l'electrònica de superconductors i va desenvolupar un dispositiu per detectar radiació com, per exemple, la còsmica.
Ara, assegura que el següent pas és provar l'espintrònica en diferents materials. "De moment fem servir el silici, però hi ha molts reptes, cal explorar com es comporta". I l'exemple del material promesa no es va fer esperar, el científic parla del grafè: "És important perquè l'espín en aquest material pot sobreviure un llarg període de temps" diu, entusiasmat per la seva propietat bidimensional. "Has d'estar segur que l'espín pot sobreviure en ell. Altres materials tenen propietats interessants com que l'espín pugui viatjar per la superfície". En qualsevol cas, per poder emmagatzemar informació en uns aparells electrònics cada vegada més petits queden per explorar els diferents materials en què aplicar-la.


Font: El Mundo

dimecres, 29 de juliol del 2015

La llum revela l'espín dels electrons

La espintrònica -en la qual l'espín dels electrons s'utilitza per codificar la informació en lloc de càrrega- és la tecnologia fonamental per els lectors de lectura en els discos durs dels nostres ordinadors i és el focus d'una àmplia investigació en la creació dels dispositius de lògica basat en el spin dels electrons que podria conduir a la computació quàntica.

Si bé hi ha hagut algunes investigacions recents en què els camps elèctrics s'utilitzen per manipular el spin dels electrons , la forma predominant de llegir l'espín d'un electró és utilitzar camps magnètics extremadament potents.


Ara els investigadors del Centre de Nanotecnologia de Londres (LCN) han deixat de banda els dos camps magnètics i elèctrics, i han demostrat que és possible llegir l'espín d'un electró amb un làser .

En una investigació publicada a la revista Nature Materials , l'equip LCN va ser capaç d'adaptar la tècnica coneguda com "tunneling spin-depenent" usant un làser (en lloc d'un imant juntament amb temperatures extremadament baixes) per tirar d'un electró lluny del seu àtom.


Aquesta tècnica de tunelització spin-dependent depèn de dopatge una hòstia de silici amb àtoms de fòsfor. El fòsfor crea un electró extra en l'hòstia, el que fa possible destacar i llegir el seu gir l'ús d'imants, o ara com l'equip LCN va mostrar, els làsers.

Els investigadors van descobrir que LCN un làser contra la base de silici amb les impureses de fòsfor, crea una cosa anomenada "bound excitons", que són, bàsicament, els electrons energitzats units a la càrrega positiva (forats) que es formen quan la llum colpeja un semiconductor. En aquest cas, els excitons lligats romanen en el lloc de la impuresa de fòsfor i quan l'electró i el forat combinen alliberen prou energia per empènyer l'electró extra fora dels àtoms de fòsfor.


Mentre que l'expulsió de l'electró extra no és en si suficient per mesurar l'espín de l'electró, sí crea un petit corrent elèctric que permet als investigadors a determinar espín de l'electró.

A causa que aquesta tècnica fa possible llegir l'espín dels electrons sense camps magnètics, el gir es pot mesurar en entorns on als camps magnètics puguin suposar un problema.

Font: IEEE Spectrum